MMBFJ111

Symbol Micros: TMMBFJ111

Gehäuse: SOT23

N-JFET-Transistor; 35V; 35V; 30 Ohm; 20mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: PMBFJ111;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	30Ohm
Max. Drainstrom:	20mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	35V
Transistor-Typ:	N-JFET

Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: MMBFJ111 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

1475 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2096	0,1064	0,0645	0,0511	0,0466

Widerstand im offenen Kanal:	30Ohm
Max. Drainstrom:	20mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	35V
Transistor-Typ:	N-JFET
Max. Gate-Source Spannung:	35V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD