MMBFJ111

Symbol Micros: TMMBFJ111
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-JFET-Transistor; 35V; 35V; 30 Ohm; 20mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: PMBFJ111;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30Ohm
Max. Drainstrom: 20mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 35V
Transistor-Typ: N-JFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: MMBFJ111 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1475 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2093 0,1062 0,0644 0,0510 0,0465
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 30Ohm
Max. Drainstrom: 20mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 35V
Transistor-Typ: N-JFET
Max. Gate-Source Spannung: 35V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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