MMBFJ113
Symbol Micros:
TMMBFJ113
Gehäuse: SOT23
N-JFET-Transistor; 35V; 35V; 100Ohm; 2mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 100Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 35V |
| Transistor-Typ: | N-JFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 100Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 35V |
| Transistor-Typ: | N-JFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 35V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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