MMBFJ113
Symbol Micros:
TMMBFJ113
Gehäuse: SOT23
N-JFET-Transistor; 35V; 35V; 100Ohm; 2mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 100Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 35V |
| Transistor-Typ: | N-JFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBFJ113
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
60000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0657 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBFJ113
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
18000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0532 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 100Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 35V |
| Transistor-Typ: | N-JFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 35V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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