MMBFJ177

Symbol Micros: TMMBFJ177
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-JFET-Transistor; 30V; 30V; 300 Ohm; 20mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SST177-T1; MMBFJ177LT1G; MMBFJ177; PMBFJ177; PMBFJ177,215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 300Ohm
Max. Drainstrom: 20mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBFJ177LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
8877 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2417 0,1287 0,0997 0,0921 0,0882
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBFJ177LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
6400 stk.
Anzahl Stück 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1155
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 300Ohm
Max. Drainstrom: 20mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-JFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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