MMBFJ177
Symbol Micros:
TMMBFJ177
Gehäuse: SOT23
P-JFET-Transistor; 30V; 30V; 300 Ohm; 20mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SST177-T1; MMBFJ177LT1G; MMBFJ177; PMBFJ177; PMBFJ177,215;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 300Ohm |
| Max. Drainstrom: | 20mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-JFET |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: MMBFJ177LT1G RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
5327 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2492 | 0,1327 | 0,1028 | 0,0949 | 0,0909 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 300Ohm |
| Max. Drainstrom: | 20mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-JFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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