MMBFJ201

Name: TMMBFJ201 TMMBFJ201
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TMMBFJ201
Price: 0.1189 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TMMBFJ201

Gehäuse: SOT23

N-JFET-Transistor; 40V; 40V; 1mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Max. Drainstrom:	1mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-JFET
Max. Gate-Source Spannung:	40V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBFJ201 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

2925 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3084	0,1702	0,1339	0,1241	0,1189

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBFJ201 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

90000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1189

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBFJ201 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

4600 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1189

Max. Drainstrom:	1mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-JFET
Max. Gate-Source Spannung:	40V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD