MMBFJ309
Symbol Micros:
TMMBFJ309
Gehäuse: SOT23
N-JFET-Transistor; 25V; 25V; 30mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: MMBFJ309LT1G;
Parameter
| Max. Drainstrom: | 30mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 25V |
| Transistor-Typ: | N-JFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Max. Drainstrom: | 30mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 25V |
| Transistor-Typ: | N-JFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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