MMBFJ310

Symbol Micros: TMMBFJ310
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-JFET-Transistor; 25V; 25V; 60mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: MMBFJ310LT1G; MMBFJ310LT3G;
Parameter
Max. Drainstrom: 60mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-JFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBFJ310LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
6740 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3263 0,1803 0,1418 0,1312 0,1258
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Standard-Verpackung:
3000
Max. Drainstrom: 60mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-JFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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