MMBT2222LT1G

Symbol Micros: TMMBT2222
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-23 NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2222LT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
5200 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0990 0,0390 0,0228 0,0167 0,0152
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2222LT1G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0152
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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