Bipolarer Transistor MMBT2222 1B WEJ

Symbol Micros: TMMBT2222 1B WEJ
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; 200; 300mW; 150V; 600mA; 100MHz SOT23; WEJ;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: WEJ
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 200
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
Hersteller: WEJ Hersteller-Teilenummer: MMBT2222 1B RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0623 0,0240 0,0117 0,0093 0,0089
Standard-Verpackung:
3000/15000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: WEJ
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 200
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP