MMBT2222A-TP

Symbol Micros: TMMBT2222A-TP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor GP BJT NPN 40V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT NPN 40V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MCC
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: MMBT2222A-TP RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1582 0,0751 0,0422 0,0322 0,0288
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MCC
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN