MMBT2222ALT1G

Symbol Micros: TMMBT2222alt1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2222ALT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
3690 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0725 0,0279 0,0136 0,0108 0,0104
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2222ALT3G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
30000 stk.
Anzahl Stück 20000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0104
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2222ALT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
72000 stk.
Anzahl Stück 15000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0104
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN