MMBT2222ALT1G

Symbol Micros: TMMBT2222alt1
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Gehäuse: SOT23
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Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 350mW
Stromverstärkungsfaktor: 300
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Grenzfrequenz: 300MHz
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2222ALT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
2700 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0758 0,0299 0,0175 0,0128 0,0117
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 350mW
Stromverstärkungsfaktor: 300
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Grenzfrequenz: 300MHz
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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