MMBT2222ALT1G
Symbol Micros:
TMMBT2222alt1
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 350mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
| Grenzfrequenz: | 300MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 1A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT2222ALT1G RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
3690 stk.
| Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0717 | 0,0275 | 0,0135 | 0,0107 | 0,0102 |
| Verlustleistung: | 350mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
| Grenzfrequenz: | 300MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 1A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole