MMBT2907AWT1G ON Semiconductor

Symbol Micros: TMMBT2907aw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
PNP 60V 0.6A 150mW 200MHz PNP 60V 0.6A 150mW 200MHz
Parameter
Verlustleistung: 150mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT323
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 340
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2907AWT1G RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
880 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0954 0,0376 0,0220 0,0161 0,0147
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 150mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT323
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 340
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP