MMBT3904-1AM SOT23 MDD

Symbol Micros: TMMBT3904 MDD

Gehäuse: SOT23

Transistor NPN; Bipolar; 40V; 200mW; 6V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	MDD
Stromverstärkungsfaktor:	300
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	40V

Hersteller: MDD(Microdiode Electronics) Hersteller-Teilenummer: MMBT3904 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

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Anzahl Stück	20+	100+	500+	3000+	15000+
Nettopreis (EUR)	0,0440	0,0165	0,0088	0,0066	0,0061

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Geplantes Datum:
2025-11-15

Anzahl Stück: 6000

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	MDD
Stromverstärkungsfaktor:	300
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	40V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN