MMBT3904LT1G ONS

Symbol Micros: TMMBT3904lt
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN 200mA 40V 330mW 300MHz NPN 200mA 40V 330mW 300MHz
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBT3904LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
6980 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0830 0,0328 0,0191 0,0140 0,0128
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Standard-Verpackung:
3000/15000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBT3904LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
14500 stk.
Anzahl Stück 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0377
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBT3904LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
1338000 stk.
Anzahl Stück 45000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0128
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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