MMBT3906,215

Symbol Micros: TMMBT3906
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 250MHz 250mW Surface Mount TO-236AB Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 250MHz 250mW Surface Mount TO-236AB
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: MMBT3906 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1738 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1410 0,0669 0,0378 0,0287 0,0256
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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