MMBT3906T1G ONS

Symbol Micros: TMMBT3906lt
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
PNP 200mA 40V 300mW 250MHz PNP 200mA 40V 300mW 250MHz
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 250MHz
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT3906LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
40098 stk.
Anzahl Stück 50+ 400+ 3000+ 6000+ 30000+
Nettopreis (EUR) 0,0203 0,0057 0,0031 0,0029 0,0026
Standard-Verpackung:
3000/30000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT3906LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
624000 stk.
Anzahl Stück 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0085
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT3906LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
762000 stk.
Anzahl Stück 18000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0075
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 250MHz
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP