MMBT3906T1G ONS
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 250MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
| Anzahl Stück | 50+ | 400+ | 3000+ | 6000+ | 30000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0185 | 0,0052 | 0,0029 | 0,0026 | 0,0024 |
| Anzahl Stück | 20000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0073 |
| Anzahl Stück | 18000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0073 |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 250MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
MMBT3906 PNP-BJT-Transistor SOT-23
Der Transistor MMBT3906 ist ein klassischer und weit verbreiteter bipolarer Junction-Transistor (BJT) in PNP-Konfiguration. Er ist unverzichtbar in Schaltungen, die ein universelles Bauelement sowohl zum Schalten als auch zum Verstärken kleiner Signale bei geringem Energieverbrauch benötigen. Geliefert im kompakten SMD-Gehäuse SOT-23 stellt er eine Standardlösung für miniaturisierte digitale und analoge Elektronik dar.
Wichtige Eigenschaften und Spezifikationen des MMBT3906 Transistors
Der MMBT3906 Transistor wird für seine stabilen Betriebsparameter und seine hohe Grenzfrequenz geschätzt, was ihn ideal für Anwendungen mit schnellen Schaltvorgängen macht. Als PNP-Transistor eignet er sich hervorragend für Niederspannungsschaltungen.
Zu den wichtigsten technischen Parametern des MMBT3906 Transistors gehören:
- Transistortyp: Bipolarer Junction-Transistor (BJT) in PNP-Konfiguration
- Maximale Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO): 40 V
- Dauer-Kollektorstrom (IC): 200 mA
- Stromverstärkung (hFE): hoch, gewährleistet eine effiziente Signalverstärkung
- Grenzfrequenz (fT): hoch (typischerweise über 250 MHz)
- Gehäuse: SOT-23 (SMD)
Diese Parameterkombination, insbesondere der hohe hFE-Wert, macht den MMBT3906 Transistor unverzichtbar für Anwendungen, die eine präzise Steuerung und Verstärkung von Signalen erfordern.
Typische Anwendungen des PNP-Transistors MMBT3906
Dank seiner Vielseitigkeit und hohen Zuverlässigkeit findet der BJT-Transistor MMBT3906 in nahezu allen Bereichen der Elektronik Anwendung und übernimmt dabei zentrale Funktionen in der Signalverarbeitung und -steuerung. Typische Einsatzgebiete sind:
- digitale und logische Schaltungen
- Niedrigleistungsverstärker und Treiberschaltungen
- Logikschnittstellen und Spannungspegelwandler
- Ansteuerung von LEDs und kleinen Relais
- Mess- und Telekommunikationsgeräte
Dank seiner bewährten Architektur wird dieser SMD-Transistor häufig sowohl für das Prototyping als auch für die Serienproduktion elektronischer Geräte eingesetzt und gewährleistet einen stabilen Betrieb. Erhältlich im Angebot von Micros, bietet er hohe Zuverlässigkeit und stabile Parameter in kritischen Schalt- und Verstärkerschaltungen.
Bei technischen Fragen zur Integration und Auswahl dieses Bauteils kontaktieren Sie uns bitte unter: sales // micros.com.pl.