MMBT3906T1G ONS
Symbol Micros:
TMMBT3906lt
Gehäuse: SOT23
PNP 200mA 40V 300mW 250MHz PNP 200mA 40V 300mW 250MHz
Parameter
Verlustleistung: | 300mW |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
Grenzfrequenz: | 250MHz |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT3906LT1G RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
40098 stk.
Anzahl Stück | 50+ | 400+ | 3000+ | 6000+ | 30000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0203 | 0,0057 | 0,0031 | 0,0029 | 0,0026 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT3906LT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
624000 stk.
Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0085 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT3906LT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
762000 stk.
Anzahl Stück | 18000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0075 |
Verlustleistung: | 300mW |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
Grenzfrequenz: | 250MHz |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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