MMBT3906T1G ONS
Symbol Micros:
TMMBT3906lt
Gehäuse: SOT23
PNP 200mA 40V 300mW 250MHz PNP 200mA 40V 300mW 250MHz
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 250MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT3906LT1G RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
40098 stk.
| Anzahl Stück | 50+ | 400+ | 3000+ | 6000+ | 30000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0184 | 0,0052 | 0,0028 | 0,0026 | 0,0024 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT3906LT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
810000 stk.
| Anzahl Stück | 15000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0080 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT3906LT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
138000 stk.
| Anzahl Stück | 48000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0075 |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 250MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole