MMBT3906TT1G

Symbol Micros: TMMBT3906tt1g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT416 =(SC-75-3)
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Transistor GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 Transistor GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT416 =(SC-75-3)
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBT3906TT1G RoHS Gehäuse: SOT416 =(SC-75-3) Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0779 0,0299 0,0146 0,0116 0,0111
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT416 =(SC-75-3)
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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