MMBT4403LT1G

Symbol Micros: TMMBT4403lt
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
PNP 600mA 40V 300mW 200MHz 100<hFE<300 PNP 600mA 40V 300mW 200MHz 100<hFE<300
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 200MHz
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT4403LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1595 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1069 0,0422 0,0247 0,0180 0,0165
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT4403LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0165
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT4403LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
42000 stk.
Anzahl Stück 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0165
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 200MHz
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP