MMBT4403LT1G

Symbol Micros: TMMBT4403lt
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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PNP 600mA 40V 300mW 200MHz 100<hFE<300 PNP 600mA 40V 300mW 200MHz 100<hFE<300
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBT4403LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1090 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1059 0,0418 0,0245 0,0179 0,0163
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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