MMBT5401-7-F
Symbol Micros:
TMMBT5401-7-F Diodes
Gehäuse: SOT23-3
Transistor GP BJT PNP 150V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R MMBT5401-13-F
Parameter
| Verlustleistung: | 310mW |
| Hersteller: | DIODES |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 240 |
| Grenzfrequenz: | 300MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 150V |
| Verlustleistung: | 310mW |
| Hersteller: | DIODES |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 240 |
| Grenzfrequenz: | 300MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 150V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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