MMBT5401 SOT23 MDD(MICRODIODE)
Symbol Micros:
TMMBT5401 MDD
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; 300; 300mW, 160V; 600mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C; MMBT5401-LGE; MMBT5401-AU_R1_000A1; MMBT5401-YAN; MMBT5401-LGE;
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | MDD |
| Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 160V |
Hersteller: MDD(Microdiode Electronics)
Hersteller-Teilenummer: MMBT5401 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0493 | 0,0184 | 0,0099 | 0,0074 | 0,0068 |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | MDD |
| Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 160V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole