MMBT5500

Symbol Micros: TMMBT5550
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Transistor GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 140V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBT5550LT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
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0 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1138 0,0449 0,0262 0,0192 0,0175
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBT5550LT3G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
60000 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0184
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBT5550LT1G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
453000 stk.
Anzahl Stück 30000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0175
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-04-24
Anzahl Stück: 3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 140V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN