MMBT5500
Symbol Micros:
TMMBT5550
Gehäuse: SOT23-3
Transistor GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: | 300mW |
Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 140V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT5550LT1G RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1112 | 0,0510 | 0,0277 | 0,0208 | 0,0185 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT5550LT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
1461000 stk.
Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0185 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT5550LT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
90000 stk.
Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0185 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT5550LT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0185 |
Verlustleistung: | 300mW |
Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 140V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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