MMBT5500

Symbol Micros: TMMBT5550
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Transistor GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 250
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 140V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBT5550LT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
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3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1022 0,0403 0,0234 0,0172 0,0157
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 250
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 140V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN