MMBT5551
Symbol Micros:
TMMBT5551
Gehäuse: SOT23
Tranzystor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO;
Parameter
| Verlustleistung: | 350mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 160V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Hersteller: DIOTEC
Hersteller-Teilenummer: MMBT5551 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1066 | 0,0419 | 0,0245 | 0,0179 | 0,0164 |
| Verlustleistung: | 350mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 160V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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