MMBT5551 smd

Symbol Micros: TMMBT5551
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN 600mA 160V 350mW 100MHz NPN 600mA 160V 350mW 100MHz
Parameter
Verlustleistung: 350mW
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: MMBT5551 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0907 0,0359 0,0209 0,0153 0,0140
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 350mW
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN