MMBT5551 smd
Symbol Micros:
TMMBT5551
Gehäuse: SOT23
NPN 600mA 160V 350mW 100MHz NPN 600mA 160V 350mW 100MHz
Parameter
| Verlustleistung: | 350mW |
| Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 160V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Verlustleistung: | 350mW |
| Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 160V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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