MMBT5551-7-F DIODES
Symbol Micros:
TMMBT5551-7-F Diodes
Gehäuse: SOT23-3
Transistor GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Transistor GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | Diodes Incorporated |
| Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 160V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: MMBT5551-7-F RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1130 | 0,0444 | 0,0260 | 0,0190 | 0,0174 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: MMBT5551-7-F
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
78000 stk.
| Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0174 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: MMBT5551-7-F
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
435000 stk.
| Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0174 |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | Diodes Incorporated |
| Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 160V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | N/P-MOSFET |
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