MMBT5551-7-F DIODES

Symbol Micros: TMMBT5551-7-F Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Transistor GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Transistor GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: Diodes Incorporated
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 250
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: MMBT5551-7-F RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1116 0,0439 0,0257 0,0188 0,0172
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: Diodes Incorporated
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 250
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: N/P-MOSFET

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