MMBT5551
Symbol Micros:
TMMBT5551 ANB
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | AnBon |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 180V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | AnBon |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 180V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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