MMBT5551 SOT23(T/R) CJ

Symbol Micros: TMMBT5551 CJ
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: CJ
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 300
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Hersteller: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH Hersteller-Teilenummer: MMBT5551 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0453 0,0170 0,0091 0,0068 0,0063
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: CJ
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 300
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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