Odpowiednik: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO;
Symbol Micros:
TMMBT5551 FUX
Gehäuse: SOT23
NPN-Transistor; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Aquivalent: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO;
Parameter
| Verlustleistung: | 350mW |
| Hersteller: | FUXINSEMI |
| Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 160V |
| Verlustleistung: | 350mW |
| Hersteller: | FUXINSEMI |
| Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 160V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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