MMBT5551 G1 WEJ

Symbol Micros: TMMBT5551 G1 WEJ
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung
NPN-Transistor; 30; 200mW; 30V; 600mA; 300MHz SOT23; WEJ;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: WEJ
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 30
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: WEJ Hersteller-Teilenummer: MMBT5551 G1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0395 0,0144 0,0076 0,0057 0,0053
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Standard-Verpackung:
3000/15000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: WEJ
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 30
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN