MMBT5551 G1 WEJ

Symbol Micros: TMMBT5551 G1 WEJ
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN-Transistor; 30; 200mW; 30V; 600mA; 300MHz SOT23; WEJ;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 30
Hersteller: WEJ
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: WEJ Hersteller-Teilenummer: MMBT5551 G1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0675 0,0260 0,0127 0,0101 0,0097
Standard-Verpackung:
3000/15000
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 30
Hersteller: WEJ
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN