MMBT5551 G1 WEJ

Name: TMMBT5551 G1 WEJ TMMBT5551 G1 WEJ
Brand: WEJ
SKU: TMMBT5551G1WEJ
Price: 0.0053 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TMMBT5551 G1 WEJ

Gehäuse: SOT23

NPN-Transistor; 30; 200mW; 30V; 600mA; 300MHz SOT23; WEJ;

Parameter

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	WEJ
Stromverstärkungsfaktor:	30
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	30V

Hersteller: WEJ Hersteller-Teilenummer: MMBT5551 G1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

15000 stk.

Anzahl Stück	20+	100+	500+	3000+	15000+
Nettopreis (EUR)	0,0397	0,0145	0,0077	0,0057	0,0053

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	WEJ
Stromverstärkungsfaktor:	30
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN