MMBT5551
Symbol Micros:
TMMBT5551 MDD
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Ersatz: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551;
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | MDD |
| Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 300MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 160V |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-04-16
Anzahl Stück: 9000
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | MDD |
| Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 300MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 160V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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