MMBT5551LT1G

Symbol Micros: TMMBT5551 ON
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Transistor GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT5551LT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
5051 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1234 0,0565 0,0308 0,0230 0,0205
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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