MMBT5551HE3-TP

Symbol Micros: TMMBT5551HE3-TP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: MCC
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: MCC
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN