MMBT5551HE3-TP
Symbol Micros:
TMMBT5551HE3-TP
Gehäuse: SOT23
Transistor GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: | 300mW |
Hersteller: | MCC |
Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
Gehäuse: | SOT23 |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 160V |
Verlustleistung: | 300mW |
Hersteller: | MCC |
Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
Gehäuse: | SOT23 |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 160V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole