MMBT5551M3T5G

Symbol Micros: TMMBT5551m3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT723
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Transistor GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 Transistor GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723
Parameter
Verlustleistung: 640mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT723
Stromverstärkungsfaktor: 250
Max. Kollektor-Strom [A]: 60mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBT5551M3T5G RoHS Gehäuse: SOT723 Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2147 0,1075 0,0642 0,0530 0,0477
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100
Verlustleistung: 640mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT723
Stromverstärkungsfaktor: 250
Max. Kollektor-Strom [A]: 60mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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