MMBT5551M3T5G

Symbol Micros: TMMBT5551m3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT723
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Transistor GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 Transistor GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723
Parameter
Verlustleistung: 640mW
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT723
Max. Kollektor-Strom [A]: 60mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT5551M3T5G RoHS Gehäuse: SOT723 Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2138 0,1170 0,0768 0,0663 0,0611
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT5551M3T5G Gehäuse: SOT723  
Externes Lager:
16000 stk.
Anzahl Stück 8000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0611
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Standard-Verpackung:
8000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT5551M3T5G Gehäuse: SOT723  
Externes Lager:
16000 stk.
Anzahl Stück 8000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0611
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Standard-Verpackung:
8000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 640mW
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT723
Max. Kollektor-Strom [A]: 60mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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