MMBT6427 smd

Symbol Micros: TMMBT6427
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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darl.NPN 1.2A 40V 350mW darl.NPN 1.2A 40V 350mW
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 200000
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT6427LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1208 0,0553 0,0303 0,0225 0,0201
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT6427LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
57000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0201
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT6427LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
81000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0201
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 200000
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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