MMBT6427 smd
Symbol Micros:
TMMBT6427
Gehäuse: SOT23
darl.NPN 1.2A 40V 350mW darl.NPN 1.2A 40V 350mW
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 200000 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 200000 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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