MMBT6517LT1G

Symbol Micros: TMMBT6517
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN 100mA 350V 225mW 200MHz NPN 100mA 350V 225mW 200MHz
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 200
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 350V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT6517LT1G Pbf 1Z. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2080 0,1051 0,0633 0,0502 0,0462
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Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 200
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 350V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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