MMBT8050D(1.5A)

Symbol Micros: TMMBT8050D-1.5 PJ

Gehäuse: SOT23

25V 350mW 160@100mA,1V 1.5A NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Parameter

Verlustleistung:	350mW
Hersteller:	PJSEMI
Stromverstärkungsfaktor:	400
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	120MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	25V

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2025-09-30

Anzahl Stück: 3000

Verlustleistung:	350mW
Hersteller:	PJSEMI
Stromverstärkungsfaktor:	400
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	120MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN