MMBTA05

Symbol Micros: TMMBTA05
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor GP BJT NPN 60V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT NPN 60V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 100
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBTA05LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1032 0,0406 0,0238 0,0174 0,0159
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 100
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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