MMBTA06LT1G

Symbol Micros: TMMBTA06lt1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBTA06LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
726 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1220 0,0560 0,0305 0,0228 0,0203
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBTA06LT3G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
40000 stk.
Anzahl Stück 40000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0203
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBTA06LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
5844000 stk.
Anzahl Stück 33000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0203
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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