MMBTA06LT1G

Symbol Micros: TMMBTA06lt1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBTA06LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
4956 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1228 0,0563 0,0307 0,0229 0,0205
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole