MMBTA13LT1G ON Semiconductor
Symbol Micros:
TMMBTA13l
Gehäuse: SOT23-3
Transistor Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Transistor Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 10000 |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Grenzfrequenz: | 125MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 300mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: MMBTA13LT1G RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1900 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1364 | 0,0626 | 0,0341 | 0,0254 | 0,0227 |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: MMBTA13LT3G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
120000 stk.
| Anzahl Stück | 30000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0227 |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: MMBTA13LT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
171000 stk.
| Anzahl Stück | 24000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0227 |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 10000 |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Grenzfrequenz: | 125MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 300mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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