MMBTA13LT1G ON Semiconductor

Symbol Micros: TMMBTA13l
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Transistor Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Transistor Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 10000
Grenzfrequenz: 125MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 300mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBTA13LT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1900 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1353 0,0621 0,0338 0,0252 0,0225
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 10000
Grenzfrequenz: 125MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 300mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN