MMBTA14LT1G ON Semiconductor

Symbol Micros: TMMBTA14l
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Transistor Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Transistor Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 20000
Grenzfrequenz: 125MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 300mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBTA14LT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
820 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1060 0,0417 0,0245 0,0179 0,0163
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 20000
Grenzfrequenz: 125MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 300mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN