MMBTA55

Symbol Micros: TMMBTA55
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 50MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBTA55LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1141 0,0522 0,0285 0,0213 0,0190
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 50MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP