MMBTH10
Symbol Micros:
TMMBTH10
Gehäuse: SOT23
NPN 25V 650MHz 225mW 50mA NPN 25V 650MHz 225mW 50mA
Parameter
| Verlustleistung: | 350mW |
| Hersteller: | LGE |
| Stromverstärkungsfaktor: | 60 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 650MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 50mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 25V |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: MMBTH10LT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
21000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0253 |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: MMBTH10LT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
1300 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0322 |
| Verlustleistung: | 350mW |
| Hersteller: | LGE |
| Stromverstärkungsfaktor: | 60 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 650MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 50mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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