MMDT2227

Symbol Micros: TMMDT2227
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
Transistor : NPN / PNP; Bipolar; 40/60V; 0,6A; 200mW; SOT363 Transistor : NPN / PNP; Bipolar; 40/60V; 0,6A; 200mW; SOT363
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: KEXIN
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 85
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: KEXIN
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 85
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP+NPN