MMDT5551-7-F

Symbol Micros: TMMDT5551-7-F Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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Transistor Dual NPN; Bipolar; 160V; 6V; 250; 300MHz; 200mA; 200mW; -55°C~150°C; Transistor Dual NPN; Bipolar; 160V; 6V; 250; 300MHz; 200mA; 200mW; -55°C~150°C;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: MMDT5551-7-F RoHS .K4N Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2800 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2096 0,1064 0,0643 0,0510 0,0466
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: MMDT5551-7-F Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
27000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2584
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: MMDT5551-7-F Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
33000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0466
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

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