MMDT5551-7-F
Symbol Micros:
TMMDT5551-7-F Diodes
Gehäuse: SOT363
Transistor Dual NPN; Bipolar; 160V; 6V; 250; 300MHz; 200mA; 200mW; -55°C~150°C; Transistor Dual NPN; Bipolar; 160V; 6V; 250; 300MHz; 200mA; 200mW; -55°C~150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | DIODES |
| Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Grenzfrequenz: | 300MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 160V |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | DIODES |
| Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Grenzfrequenz: | 300MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 160V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | 2xNPN |
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