MMDT5551-7-F

Symbol Micros: TMMDT5551-7-F Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
Transistor Dual NPN; Bipolar; 160V; 6V; 250; 300MHz; 200mA; 200mW; -55°C~150°C; Transistor Dual NPN; Bipolar; 160V; 6V; 250; 300MHz; 200mA; 200mW; -55°C~150°C;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: MMDT5551-7-F RoHS .K4N Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2800 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2094 0,1062 0,0642 0,0510 0,0465
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN