MMDT5551-7-F

Symbol Micros: TMMDT5551-7-F Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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Transistor Dual NPN; Bipolar; 160V; 6V; 250; 300MHz; 200mA; 200mW; -55°C~150°C; Transistor Dual NPN; Bipolar; 160V; 6V; 250; 300MHz; 200mA; 200mW; -55°C~150°C;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 200mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

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