MMDT5551 JSMICRO

Symbol Micros: TMMDT5551 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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2xNPN-Transistor; 300; 200mW; 160V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: MMDT5551-7-F; MMDT5551-TP; MMDT5551_R1_00701;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: JSMICRO
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Hersteller: JSMSEMI Hersteller-Teilenummer: MMDT5551-JSM(K4N) RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1061 0,0418 0,0243 0,0178 0,0163
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: JSMICRO
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

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