MMDT5551 MERRY

Symbol Micros: TMMDT5551 MER
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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2xNPN-Transistor; 300; 200mW; 160V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: MMDT5551-7-F; MMDT5551-TP; MMDT5551_R1_00701;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: MERRY
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Hersteller: MERRY Hersteller-Teilenummer: MMDT5551 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1064 0,0487 0,0265 0,0199 0,0177
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: MERRY
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

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