MMDT5551 SLKOR

Symbol Micros: TMMDT5551 SLK
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
2xNPN-Transistor; 300; 200mW; 180V; 200mA; 300MHz; -55°C~150°C; Äquivalent: MMDT5551-7-F; MMDT5551-TP; MMDT5551_R1_00701;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: SLKOR
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 180V
Hersteller: SLKOR Hersteller-Teilenummer: MMDT5551 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1340 0,0614 0,0334 0,0249 0,0223
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: SLKOR
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 180V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN