MMFTN138

Symbol Micros: TMMFTN138
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor: N-MOSFET ; unipolar; 50V ; 0,22A ; 0,36 W; SOT23 MMFTN138-DIO
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIOTEC
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: MMFTN138 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1431 0,0679 0,0383 0,0291 0,0260
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIOTEC
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD