MMFTN138

Symbol Micros: TMMFTN138
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor: N-MOSFET ; unipolar; 50V ; 0,22A ; 0,36 W; SOT23 MMFTN138-DIO
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIOTEC
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: MMFTN138 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1252 0,0594 0,0335 0,0255 0,0228
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: MMFTN138 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
8800 stk.
Anzahl Stück 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0298
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIOTEC
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD