MMFTN138
Symbol Micros:
TMMFTN138
Gehäuse: SOT23
Transistor: N-MOSFET ; unipolar; 50V ; 0,22A ; 0,36 W; SOT23 MMFTN138-DIO
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 220mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 360mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | DIOTEC |
| Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Hersteller: DIOTEC
Hersteller-Teilenummer: MMFTN138 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1252 | 0,0594 | 0,0335 | 0,0255 | 0,0228 |
Hersteller: DIOTEC
Hersteller-Teilenummer: MMFTN138
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
8800 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0298 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 220mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 360mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | DIOTEC |
| Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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