MMFTN170

Symbol Micros: TMMFTN170
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 10V; 5Ohm; 500mA; 300 mW; -55°C~150°C; MMFTN170-DIO;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 500mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIOTEC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: MMFTN170 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1697 0,0807 0,0453 0,0344 0,0309
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 500mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIOTEC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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