MMFTN6001

Symbol Micros: TMMFTN6001
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
MOSFET, SOT-23, 60V, 0.440A, N, MMFTN6001-DIO;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,6Ohm
Max. Drainstrom: 440mA
Maximaler Leistungsverlust: 530mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIOTEC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 2,6Ohm
Max. Drainstrom: 440mA
Maximaler Leistungsverlust: 530mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIOTEC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD