MMSS8550-H-TP

Symbol Micros: TMMSS8550-H-TP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor GP BJT PNP 25V 1.5A 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT PNP 25V 1.5A 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: MCC
Stromverstärkungsfaktor: 350
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 25V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: MCC
Stromverstärkungsfaktor: 350
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP