MMST5551-TP

Symbol Micros: TMMST5551-TP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
Transistor : NPN; Bipolar; 160V; 0,2A; 200mW; SOT323 Transistor : NPN; Bipolar; 160V; 0,2A; 200mW; SOT323
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: Micro Comercial Components Corp.
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Hersteller: Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: MMST5551-TP RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1913 0,0908 0,0512 0,0388 0,0348
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: MMST5551-TP Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
60000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0348
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: Micro Comercial Components Corp.
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN