MMUN2111LT1G

Symbol Micros: TMMUN2111lt1g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
PNP 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k PNP 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k
Parameter
Verlustleistung: 400mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 60
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2111LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2900 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0869 0,0342 0,0200 0,0146 0,0134
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2111LT3G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
320000 stk.
Anzahl Stück 40000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0134
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2111LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
603000 stk.
Anzahl Stück 39000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0134
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 400mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 60
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP