MMUN2111LT1G

Symbol Micros: TMMUN2111lt1g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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PNP 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k PNP 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k
Parameter
Verlustleistung: 400mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 60
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2111LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2850 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0772 0,0306 0,0178 0,0130 0,0119
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 400mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 60
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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